¿Procesadores de menos de un nanómetro? Podrían ser una realidad pronto

IBM y Samsung afirman haber logrado un gran avance en el diseño de semiconductores. El primer día de la conferencia IEDM (International Electron Devices Meeting) en San Francisco, las dos compañías dieron a conocer un nuevo diseño para apilar transistores verticalmente en un chip. Actualmente, con la existencia de los procesadores de corriente y los SoC, los transistores se colocan planos sobre la superficie del silicio y luego la corriente eléctrica fluye de lado a lado. Por el contrario, los transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET) se colocan perpendiculares entre sí y la corriente fluye verticalmente.

Según IBM y Samsung, este diseño tiene dos ventajas. Primero, les permitirá eludir muchas limitaciones de rendimiento para extender la Ley de Moore más allá del umbral de 1 nanómetro. Más importante aún, el diseño conduce a un menor desperdicio de energía gracias a un mayor flujo de corriente. Estiman que el VTFET conducirá a procesadores que son dos veces más rápidos y usan un 85 por ciento menos de energía que los chips diseñados con transistores FinFET. IBM y Samsung afirman que el proceso puede permitir algún día teléfonos que funcionen una semana completa con una sola carga. Dicen que también podría hacer que ciertas tareas que consumen mucha energía, incluida la criptominería, sean más eficientes y, por lo tanto, menos impactantes en el medio ambiente.

IBM y Samsung no han dicho cuándo planean comercializar el diseño. No son las únicas empresas que intentan superar la barrera del nanómetro. En julio, Intel dijo que apunta a finalizar el diseño de chips de escala angstrom para 2024.